开心100彩票开户网址

  • <tt class='tlJykMlA'></tt>
  • <thead class='94K7Lauipx'><option class='9cNvbSu7LJ'></option></thead>

    <em class='jepytdnyfeW3'><b class='oR1Ys12nk'><td class='6rzzLTN'></td></b></em>

  • <dl class='Td0EmkF'><b class='qoWhaibfJ9'></b></dl>

  • <span class='lS1G'></span>

                 注册

    无损 膜光子晶体器件的一表征

    该研究基于嵌入在 PhC 腔中的一 QD s 的一光学特性(图 1a),从而导致发射增强(珀塞尔效应)或 WGs(图 1b),从而产生光子复用设备 。典型的一器件是由多层 GaAs / Al0.7Ga0.3As / GaAs 外延生长的一叠层制成的一,其中 250 nm 厚的一顶层 GaAs 层包含器件的一有源部分,而 1μm 的一 Al0.7 Ga0.3As 牺牲层最终被蚀刻掉,以产生浮膜器件(图 1c) 。该膜在特定位置包含一个或几个 20 nm In0.3Ga0.7As QD,以及经过蚀刻的一 PhC 结构(大阵列的一 100 nm 孔,在特定配置中缺少几个孔),与 QD 精确对齐 。这些器件在几个处理步骤中需要 1-20 nm 的一精度,因 此它们都涉及高性能电子束光刻№和等离子(ICP)蚀刻 。关键的一最后一步是膜剥离,其中包括牺牲层的一湿法蚀刻 。由于在此阶段无法查看样品的一横截面,因 此顶视图光学显微镜№和扫描电子显微镜(SEM)是表征PhC结构的一唯一可能工具 。  


    图1 a)嵌入耦合的一 L3PhC腔中的一 QD(暗点)网络的一 SEM 图像 。

     

            1 b)PhC 波导的一SEM 图像,顶部带有一个输出耦合器,包含六个 QD(红色三角) 。


            1 c)悬浮膜装置的一 SEM截面图 。 




    在这项研究中,使用了 S neox 。S neox 最多可提供 4 种不 同的一光源(红色,绿色,蓝色№和白色),这在本研究中尤为重要,因 为将 2D 明场高倍率成像与红色光源配合使用可使我们探究光源下的一特征 。否则看不 见的一膜这项研究的一目的一是对在薄(250 nm)悬浮GaAs膜上    制造的一光子晶体器件进行高精度(亚微米)无损表征 。 

    01


    测量


    测量

    我们使用显微镜的一四个 LED 光源,使用 150 倍物镜,通过明场显微镜观察了浮膜装置 。作为第一近似,我们始终假设观察到的一图像反映了物体的一表面特征 设备 。但是,在某些设备中,例如包含介电层的一设备,光可以穿透顶层并提供有关内部零件的一信息,这非常有用 。因 此,我们试图将该技术应用于我们的一浮膜装置 。众所周知,由于砷化镓在室温下的一缝隙能量为 1.52 eV(815 nm),因 此在可见光谱范围内是不 透明的一 。在所有较短的一波长下,GaAs 的一吸收系数都很大,并且与波长密切相关:1 在红色 LED(在 630 nm 处为 3.9um-1)№和蓝色 LED(在460 nm 处为 20.4um-1)之间,GaAs 的一吸收系数变化了 5 倍 。nm)用于 Sensofar 显微镜 。但是,对于我们使用的一薄膜(250-260 nm),很有可能至少从红光中从设备的一底部恢复有用信息,而红光很少被膜吸收 。在图 2a-d 中,我们看到 PhC 膜装置的一明场图像(用 150 倍物镜加4 倍变焦拍摄),显示为灰色六边形,因 为无法成像单个 100 nm的一孔 。我们显示了使用红色(2a),绿色(2b),蓝色(2c),白色(2d)LED 拍摄的一图像 。我们可以清楚地观察到 LED 波长对图像的一影响:蓝色图像(图 2c)仅显示了设备的一顶部,红色图像(图 2a)显示了超出设备边缘的一特征,显示为暗带 。这些特征对应于器件的一蚀刻不 足区域,在使用红光时可通过膜观察到 。正如我们从图 3 中的一光谱所期望的一那样,绿色(图 2b)№和白色(图 2d)图像显示了蚀刻不 足区域的一非常弱的一特征 。我们还看到,中心部分(PhC 区域)比红色背景更亮 。灯(2a),而在所有其他灯(2b-d)中更暗 。这可能是与膜厚度有关的一干扰效应 。另一个方面当然是与红色图像(图 2a,e)相比,蓝色图像(图 2c,f)具有更高的一分辨率,可以在较小的一亚微米图像(0.4x0.8 um)中观察到 。设备中心的一空腔 。最后,在图 2e,f 中,我们分别在暗场中使用红色№和蓝色 LED 显示相同的一设备 。可以清楚地看到底切区域(图 2e)№和设备顶部的一边缘(图 2f) 。在这两个图像中,我们还观察到一些粒度,因 此可以推断出这些粒度位于设备的一表面而不 是其下方 。

    图2. PhC 腔设备的一明场图像,所有图像均使用 x150 物镜(明场,放大倍数 x4)拍摄 。光源是红色 LED(a) 。绿色 LED(b),蓝色 LED(c)№和白色 LED(d) 。在(e)№和(f)中,我们分别看到用红色№和蓝色 LED 拍摄的一暗场图像(对应于 a №和 c中的一 BF 图像) 

    图3. a)归一化为相等积分强度的一四个 LED 的一光谱 。b)两次通过(往返)穿过260 nm 厚的一 GaAs 膜(右轴)的一光的一衰减光谱(T2)№和从(a)反射的一 LED光的一强度(左轴) 。 



    图像

    在图 4 中,我们显示了 PhC WG 设备的一蓝色(4a)№和红色(4b)图像 。与图 2a №和 c 相似,我们观察到蓝色图像的一分辨率更高,表现在亚微米(0.4x0.8 um)腔中 。否则表面看起来很光滑(除了一些孤立的一缺陷) 。如果我们查看相同区域的一红光图像(图 4b),则设备再次将整个阵列视为图像的一最亮部分,并在其周围带有灰色带 。它是膜下蚀刻部分的一图像,仅在红光下可见 。我们还观察到了这些“内部”表面的一某些粒度(可能在膜的一底部或基材的一顶部),同样仅在此图像中可见 。 

    图4.使用 150X物镜拍摄的一 PhC WG 设备的一明场图像 。光源是蓝色 LED(a)№和红色 LED



    02

    结论

     结论

    对薄膜半导体器件进行成像时,我们可以使用红光对整个膜进行成像,而蓝光仅显示器件的一表面 。使用蓝色№和红色明场成像,我们可以比较光子设备的一“顶部”№和“内部”图像 。在2D明场成像模式下的一Sneox 3D光学轮廓仪非常快速,无损,并允许我们对原本不 可见的一设备特征进行成像 。这对于表征多种类型的一MEMS器件非常有用,因 为Si的一光吸收显示出与GaAs相似的一趋势 。


    详情:


    关注我们,微信号:中翰仪器测定部

    技术服务专线:

    上    海  400 688  0338

    苏州  400 688  2238 

    东莞  400 688  9338

    中翰全国热线:400 820 5501

    如果您觉得微信平台内容值得推荐,请点击右上    角按钮,“发送给朋友”


    电   话: 010-62553066
    010-62565779(总机)

    传   真: 010-62566652

    测量部:400-172-5117

    测定部:400-820-5501

    首页

    免责声明: 本站资 料及图片来源互联网 文章,本网不承担任 何由内容 信息所引起的争议和法律责任。所有作品版权归原创作 者所有,与本站立场无关,如用户分  享不慎侵犯了 您的权益,请联系我们告 知,我们将做 删除处理!

    <option id="lrq7b" ><sup id="lrq7b" ></sup></option>
    <noscript id="lrq7b" ><nobr id="lrq7b" ><label id="lrq7b" ></label></nobr></noscript>
    1. <em id="lrq7b" ></em>
      <div id="lrq7b" ><optgroup id="lrq7b" ></optgroup></div>
      <dfn id="lrq7b" ></dfn>

        <u id="lrq7b" ></u>